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SISS12DN-T1-GE3
SISS12DN-T1-GE3
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISS12DN-T1-GE3
- 商品编号
- C5334400
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 37.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.98mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.27nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
- 沟槽功率低压MOSFET技术-高功率和高电流处理能力-低栅极电荷-标记:A1SHB
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 在紧凑且散热增强型封装中实现极低的导通电阻RDS(on)
- 优化的栅极电荷Qg、栅漏电荷Qgd以及Qgd/Qgs比,可降低开关相关的功率损耗
- 100%进行栅极电阻Rg和非钳位感性开关UIS测试
应用领域
- 同步整流
- 同步降压转换器
- 高功率密度DC/DC
- 或门二极管功能
- 负载开关