SIDR638DP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:40V 电流:100A
- 品牌名称VISHAY(威世)
商品型号
SIDR638DP-T1-GE3商品编号
C5334411商品封装
SO-8包装方式
编带
商品毛重
0.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 0.88mΩ@20A,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.3V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 204nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 10.5nF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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