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SIDR638DP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:40V 电流:100A
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- 描述
- 特性：沟道式场效应晶体管 (TrenchFET) 第四代功率MOSFET。 极低的RDS-Qg品质因数 (FOM)。 针对最低的RDS-Qoss FOM进行了调优。 顶部散热功能为热传递提供了额外途径。 100%进行Rg和UIS测试。应用：同步整流。 DC/DC转换器
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIDR638DP-T1-GE3
- 商品编号
- C5334411
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.88mΩ@10V,100A | |
| 耗散功率(Pd) | 6.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.5nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
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