温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIDR638DP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:40V 电流:100A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：沟道式场效应晶体管 (TrenchFET) 第四代功率MOSFET。 极低的RDS-Qg品质因数 (FOM)。 针对最低的RDS-Qoss FOM进行了调优。 顶部散热功能为热传递提供了额外途径。 100%进行Rg和UIS测试。应用：同步整流。 DC/DC转换器
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIDR638DP-T1-GE3
- 商品编号
- C5334411
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.88mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 6.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟道型场效应晶体管第四代功率MOSFET
- 极低的导通电阻-栅极电荷品质因数(FOM)
- 针对最低的导通电阻-输出电荷品质因数进行优化
- 顶部散热特性为热传递提供了额外途径
- 100%进行栅极电阻和非钳位感性开关测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 同步整流
- DC/DC转换器
- 或门功能
- 电机驱动控制
- 电池和负载开关