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SIR178DP-T1-RE3
1个N沟道 耐压:20V 电流:100A 电流:430A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR178DP-T1-RE3
- 商品编号
- C5334422
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 430A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.4mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 6.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 95nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.43nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 极低的RDS × Qg品质因数(FOM)
- 领先的RDS(ON)可将传导产生的功率损耗降至最低
- 2.5 V额定值,可在低电压栅极驱动下工作
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 电池管理
- DC/DC转换器
- 负载开关
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