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SIR120DP-T1-RE3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SIR120DP-T1-RE3

1个N沟道 耐压:80V 电流:106A

描述
MOSFET用于开关应用,现在可提供导通电阻约为 1mΩ 且能够处理 85A 的产品。PowerPAK 是一种解决相关问题的新封装技术,它基于 SO-8 封装开发,采用与标准 SO-8 相同的占位面积和引脚排列,可直接替代标准 SO-8 封装。作为无引脚封装,它利用整个 SO-8 占位面积,能容纳比标准 SO-8 更大的芯片,芯片底部的连接垫暴露以提供低电阻热路径,且封装高度低于标准 SO-8,适合空间受限的应用。
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIR120DP-T1-RE3
商品编号
C5334425
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.6克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)106A
导通电阻(RDS(on))3.55mΩ@7.5V,15A
耗散功率(Pd)5.4W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)48.5nC@7.5V
输入电容(Ciss)4.15nF@40V
反向传输电容(Crss)19pF@40V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF