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SIR120DP-T1-RE3
1个N沟道 耐压:80V 电流:106A
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- 描述
- MOSFET用于开关应用，现在可提供导通电阻约为 1mΩ 且能够处理 85A 的产品。PowerPAK 是一种解决相关问题的新封装技术，它基于 SO-8 封装开发，采用与标准 SO-8 相同的占位面积和引脚排列，可直接替代标准 SO-8 封装。作为无引脚封装，它利用整个 SO-8 占位面积，能容纳比标准 SO-8 更大的芯片，芯片底部的连接垫暴露以提供低电阻热路径，且封装高度低于标准 SO-8，适合空间受限的应用。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR120DP-T1-RE3
- 商品编号
- C5334425
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 106A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.55mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 5.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48.5nC@7.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 极低的RDS × Qg品质因数(FOM)
- 针对最低的RDS × Qoss FOM进行优化
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 同步整流
- 初级侧开关
- DC/DC转换器
- 电源
- 电机驱动控制
- 电池和负载开关
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