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SISS63DN-T1-GE3
1个P沟道 耐压:20V 电流:127.5A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen III p-channel power MOSFET。 Leadership RDS(on) in compact and thermally enhanced package。 100 % Rg and UIS tested。应用：Battery management。 Load switch
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISS63DN-T1-GE3
- 商品编号
- C5334443
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.52克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 127.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 72.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.08nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 236pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET第三代P沟道功率MOSFET
- 采用紧凑且散热增强型封装,具备领先的导通电阻(RDS(on))
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
应用领域
- 电池管理
- 负载开关