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H11D1
光电耦合器，带基极连接的光电晶体管输出，高BVcEo电压
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- 描述
- 采用GaAs红外发光二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器光耦合，并采用塑料DIP-6封装。它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- H11D1
- 商品编号
- C5334388
- 商品封装
- DIP-6
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 输入类型 | DC | |
| 输出类型 | 光电三极管 | |
| 正向压降(Vf) | 1.2V | |
| 输出电流 | 50mA | |
| 隔离电压(Vrms) | 5.3kV | |
| 直流反向耐压(Vr) | 6V | |
| 负载电压 | 300V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输出通道数 | 1 | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV@10mA,0.5mA | |
| 上升时间(tr) | 4us | |
| 下降时间 | 5us | |
| 工作温度 | -55℃~+100℃ | |
| 电流传输比(CTR)最小值 | 20% | |
| 电流传输比(CTR)最大值/饱和值 | - | |
| 正向电流(If) | 60mA |
商品概述
H11Dx 采用砷化镓（GaAs）红外发光二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP-6 封装中。 它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。 该耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
商品特性
- 极高的集电极 - 发射极击穿电压 BVCEO = 300 V
- 隔离测试电压：5000 VRMS
- 低耦合电容
- 高共模瞬态抗扰度
应用领域
- 电信
- 工业控制
- 电池供电设备
- 办公设备
- 可编程控制器
优惠活动
购买数量
(50个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个50个/管
总价金额：
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