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MDD2N65D
1个N沟道 耐压:650V 电流:2A
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- 描述
- 应用：适配器，充电器、LED驱动、PFC电路
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDD2N65D
- 商品编号
- C5299401
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 338pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AGM12T05C将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
-超低栅极电荷-低反向传输电容-快速开关能力-经过雪崩能量测试-改善的dv/dt能力,高耐用性
应用领域
-高效开关模式电源-基于半桥的电子灯镇流器-LED电源