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MDD10N65F
1个N沟道 耐压:650V 电流:10A
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- 描述
- 应用：适配器，充电器、LED驱动、PFC电路
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDD10N65F
- 商品编号
- C5299406
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.56克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 810mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.622nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.8pF |
商品概述
AGM15T06T将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以实现极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
-超低栅极电荷-低反向传输电容-快速开关能力-经过雪崩能量测试-改善的 dv/dt 能力,高耐用性
应用领域
-高效开关模式电源-基于半桥的电子灯镇流器-LED 电源