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MDD12N65F
1个N沟道 耐压:650V 电流:12A
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- 描述
- 应用：适配器，充电器、LED驱动、PFC电路
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDD12N65F
- 商品编号
- C5299407
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.52克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 640mΩ@10V,6A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.4pF@25V |
商品概述
AGM12T12A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON)，可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
- MB/VGA核心电压
- 开关电源二次同步整流器
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器