MDD12N65F
1个N沟道 耐压:650V 电流:12A
描述
应用：适配器，充电器、LED驱动、PFC电路
- 品牌名称MDD(辰达半导体)
商品型号
MDD12N65F商品编号
C5299407商品封装
TO-220F包装方式
管装
商品毛重
2.52克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 640mΩ@10V,6A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 41.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 7.4pF@25V |
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10+￥1.01￥2.02
50+￥0.825￥1.65￥82.5
100+￥0.755￥1.51￥75.5
500+￥0.725￥1.45￥72.5
1000+￥0.705￥1.41￥70.5
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