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MDD16N65F
1个N沟道 耐压:650V 电流:16A
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- 描述
- 应用：适配器，充电器、LED驱动、PFC电路
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDD16N65F
- 商品编号
- C5299408
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.56克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 480mΩ@10V,8A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 44W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 53.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.64nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@25V |
商品概述
- 最新沟槽功率AlphaMOS（αMOS LV）技术
- 在4.5 VGS时具有极低的导通电阻RDS(on)
- 低栅极电荷
- ESD保护
- 符合RoHS和无卤标准
应用领域
- DC/DC转换器