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MDD20N65F
1个N沟道 耐压:650V 电流:20A
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- 描述
- 应用：适配器，充电器、LED驱动、PFC电路
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDD20N65F
- 商品编号
- C5299409
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.56克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 58.3nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.962nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 超低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 快速开关能力
- 经过雪崩能量测试
- 改善的dv/dt能力，高耐用性
应用领域
- 高效开关模式电源
- 基于半桥的电子灯镇流器
- LED电源