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MDD50N06D
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDD50N06D
- 商品编号
- C5299416
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.889nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 92pF | |
| 工作温度 | - |
商品特性
~~- 超低栅极电荷-低反向传输电容-快速开关能力-雪崩能量测试-改善的 dv/dt 能力,高耐用性
应用领域
- 高效开关模式电源-基于半桥的电子灯镇流器-LED 电源