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MDD4N65F

1个N沟道 耐压:650V 电流:4A

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描述
应用：适配器，充电器、LED驱动、PFC电路
品牌名称
MDD(辰达半导体)
商品型号
MDD4N65F
商品编号
C5299403
商品封装
TO-220F
包装方式
管装
商品毛重
2.56克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))2.8Ω@10V,2A
耗散功率(Pd)32W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)12nC
输入电容(Ciss@Vds)600pF@25V
反向传输电容(Crss)3.2pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

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150+￥0.8621￥43.11
500+￥0.7193￥35.97
2000+￥0.6557￥32.79
5000+￥0.6175￥30.88

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