MDD4N65F
1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
- 品牌名称MDD(辰达半导体)
商品型号
MDD4N65F商品编号
C5299403商品封装
TO-220F包装方式
管装
商品毛重
2.56克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
连续漏极电流(Id) | 4A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.5Ω@10V,2A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
功率(Pd) | 32W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 12nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 600pF@25V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 3.2pF@25V |
数据手册PDF
梯度价格
梯度
售价
折合1管
5+¥1.1711
50+¥0.9167¥45.84
150+¥0.8213¥41.07
500+¥0.7023¥35.12
2000+¥0.6493¥32.46
5000+¥0.6175¥30.88
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