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MDD4N65F

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属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.5Ω@10V,2A
属性参数值
功率(Pd)32W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)12nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)600pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)3.2pF@25V

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