MDD4N65D
1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
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- 品牌名称MDD(辰达半导体)
商品型号
MDD4N65D商品编号
C5299402商品封装
TO-252包装方式
编带
商品毛重
0.46克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
连续漏极电流(Id) | 4A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.5Ω@10V,2A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
功率(Pd) | 77W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 12nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 600pF@25V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 3.2pF@25V |
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