MDD4N65D
1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
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- 描述
- 应用:适配器,充电器、LED驱动、PFC电路
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDD4N65D
- 商品编号
- C5299402
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
连续漏极电流(Id) | 4A | |
导通电阻(RDS(on)) | 2.8Ω@10V,2A | |
耗散功率(Pd) | 77W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
栅极电荷量(Qg) | 12nC | |
输入电容(Ciss@Vds) | 600pF@25V | |
反向传输电容(Crss) | 3.2pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
梯度价格
梯度
折扣价
原价
折合1圆盘
5+¥0.841929¥0.9053
50+¥0.681969¥0.7333
150+¥0.602082¥0.6474
500+¥0.542097¥0.5829
2500+¥0.449748¥0.4836¥1209
5000+¥0.425754¥0.4578¥1144.5
优惠活动
库存总量
(单位:个)广东仓
2,855
江苏仓
0
购买数量
(2500个/圆盘,最小起订量 5 个)个
起订量:5 个2500个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交5单