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WNMD2056-8/TR
WNMD2056-8/TR
- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WNMD2056-8/TR
- 商品编号
- C5290309
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.1mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 23W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.231nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 365pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共源 |
商品概述
WNM6008是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM6008符合RoHS标准。
商品特性
- 沟槽技术
- 超高密度单元设计
- 出色的导通电阻
- 极低的阈值电压
- 小封装DFN3X3-8L
应用领域
- DC/DC转换器
- 电源转换器电路
- 便携式设备的负载/电源开关