WNMD2190-6/TR
WNMD2190-6/TR
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- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WNMD2190-6/TR
- 商品编号
- C5290312
- 商品封装
- CSP-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@2.5V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 490mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@4V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.038nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 358pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共源 |
商品概述
WNMD2054 是双 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻 RDS(ON) 和低栅极电荷。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。标准产品 WNMD2054 为无铅产品。
商品特性
- 沟槽技术
- 超高密度单元设计
- 出色的导通电阻
- 极低的阈值电压
- 小封装 DFN2X3 - 6L
应用领域
- DC/DC 转换器
- 电源转换电路
- 便携式设备的负载/电源开关