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WNMD2188-10/TR
双N沟道、12V、13.7A功率MOSFET
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- 描述
- WNMD2188 是双 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管，由于 MOSFET1 和 MOSFET2 的漏极在内部已连接，因此无需在电路板上连接漏极。该产品采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RSS(ON)）。此器件专为锂离子电池保护电路而设计
- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WNMD2188-10/TR
- 商品编号
- C5290311
- 商品封装
- CSP-10L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.95mΩ@4.5V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 600mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31.5nC@4V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.133nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 540pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 657pF |
商品概述
这款20V N沟道MOSFET采用了仙童（Fairchild）的高压PowerTrench工艺，针对电源管理应用进行了优化。
商品特性
- VDS(V) = 20 V
- RDS(ON) < 125 mΩ (VGS = 4.5 V)
- RDS(ON) < 190 mΩ (VGS = 2.5 V)
- RDS(ON) < 80 mΩ (VGS = 1.8 V)