WNMD2183-6/TR
WNMD2183-6/TR
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WNMD2183-6/TR
- 商品编号
- C5290310
- 商品封装
- CSP-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@2.5V,3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.918nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 376pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共源 |
商品概述
WNMD2056是双N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNMD2056为无铅产品。
商品特性
- 沟槽技术
- 超高密度单元设计
- 出色的导通电阻
- 极低的阈值电压
- 小封装DFN3X3-8L
应用领域
- DC/DC转换器
- 电源转换器电路
- 便携式设备的负载/电源开关