WNM6007-8/TR
WNM6007-8/TR
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WNM6007-8/TR
- 商品编号
- C5290304
- 商品封装
- SOP-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.5mΩ@4.5V,11.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 833pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.3pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
WNM3017A是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM3017A为无铅产品。
商品特性
- 沟槽技术
- 超高密度单元设计
- 出色的导通电阻
- 极低的阈值电压
- 小封装DFN2x2-6L
应用领域
- DC/DC转换器-电源转换器电路-便携式设备的负载/电源开关