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LM74502HDDFR实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LM74502HDDFR

具有负载断开、OVP 和高栅极驱动功能的 3.2V 至 65V 工业 RPP 控制器

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描述
LM74502H 具有负载断开、OVP 和高栅极驱动功能的 3.2V 至 65V 工业 RPP 控制器
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
LM74502HDDFR
商品编号
C5219202
商品封装
SOT-23-8-THIN​
包装方式
编带
商品毛重
0.024克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录功率电子开关
类型高侧开关
输入控制逻辑高电平有效
属性参数值
工作电压3.2V~65V
工作温度-40℃~+125℃
特性过压保护(OVP)

商品概述

LM74502/LM74502H 控制器与外部背对背连接的 N 沟道 MOSFET 配合工作,可实现低损耗反极性保护和负载断开的解决方案。该器件也可以配置为具有过压保护功能的负载开关,用于驱动高侧 MOSFET。3.2V 至 65V 的宽电源输入范围可实现对众多常用直流总线电压(例如,12V、24V 和 48V 输入系统)的控制。该器件可以承受并保护负载免受低至 -65V 的负电源电压的影响。LM74502/LM74502H 没有反向电流阻断功能,仅适用于进行输入反极性保护。 LM74502 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 提供电荷泵栅极驱动。当使能引脚处于低电平时,控制器关闭,消耗大约 1μA 的电流,从而在进入睡眠模式时提供低系统电流。LM74502 和 LM74502H 还具有可编程的过压和欠压保护功能,可在发生故障时将负载从输入源切断。这些器件采用 2.9mm × 1.6mm 8 引脚 DDF 封装,额定工作温度范围为 – 40°C 至 +125°C 。

商品特性

  • 3.2V 至 65V 输入范围(3.9V 启动)
  • -65V 输入反向电压额定值
  • 集成电荷泵用于驱动:
    • 外部背对背 N 沟道 MOSFET
    • 外部高侧开关 MOSFET
    • 外部反极性保护 MOSFET
  • 栅极驱动器型号:
    • LM74502: 60μA 峰值栅极驱动拉电流能力
    • LM74502H:11mA 峰值栅极驱动拉电流能力
  • 2.3A 峰值栅极灌电流能力
  • 使能引脚特性:
    • 45μA 典型工作静态电流(EN/UVLO = 高电平)
    • 1μA 关断电流(EN/UVLO = 低电平)
  • 可调节过压和欠压保护
  • -40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
  • 采用 8 引脚 SOT - 23 封装 2.90mm×1.60mm

应用领域

  • 工厂自动化和控制 – PLC 数字输出模块
  • 工业电机驱动
  • 工业运输
  • 电源反极性保护