温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
LM66100QDCKRQ1
具有集成式 FET 的汽车类 1.5V 至 5.5V、1.5A、0.5uA IQ 理想二极管
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- LM66100-Q1 具有集成式 FET 的汽车类 1.5V 至 5.5V、1.5A、0.5μA IQ 理想二极管
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- LM66100QDCKRQ1
- 商品编号
- C5219211
- 商品封装
- SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 理想二极管/ORing控制器 | |
| 输入电压(Vin) | 1.5V~5.5V | |
| 导通电流(Imax) | 1.5A | |
| FET类型 | 内置FET | |
| 通道数 | 1 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 正向压降(Vf) | 1.1V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ | |
| 静态电流(Iq) | 150nA | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
LM66100-Q1 是一款单输入单输出 (SISO) 集成式理想二极管，是各种应用的理想之选。该器件包含一个可在1.5V 至 5.5V 输入电压范围内运行的 P 沟道MOSFET，并且支持 1.5A 的最大持续电流。 该芯片通过比较 CE 引脚电压和输入电压来提供支持。当 CE 引脚电压高于输入电压时，该器件被禁用并且MOSFET 关断。当 CE 引脚电压比较低时，MOSFET开启。LM66100-Q1 还具有反极性保护 (RPP) 功能，可保护器件不受输入接线错误的影响，例如电池装反。 可在 ORing 配置中使用两个 LM66100-Q1 器件，其实施方法与双二极管 ORing 相似。在此配置中，该器件将最高输入电压传递到输出端，同时阻断反向电流流入输入电源。这些器件可比较输入和输出电压，从而确保内部电压比较器成功阻断反向电流。 LM66100-Q1 采用标准 SC-70 封装，工作结温范围为 –40°C 至 150°C。
商品特性
- 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
- 器件温度等级 1: -40°C 至 125°C 环境工作温度范围
- 宽工作电压范围：1.5V 至 5.5V
- VIN 反向关断电压：绝对最大值为 –6V
- 最大持续电流 (IMAX): 1.5A
- 导通电阻 (RON)：
- 5V VIN = 79mΩ（典型值）
- 3.6V VIN = 91mΩ（典型值）
- 1.8V VIN = 141mΩ（典型值）
- 启用比较器芯片 (CE)
- 通道状态指示 (ST)
- 低电流消耗：
- 3.6V VIN 关断电流 (ISD,VIN): 120nA（典型值）
- 3.6V VIN 静态电流 (IQ,VIN): 150nA（典型值）
应用领域
- 信息娱乐系统、仪表组和音响主机
- 汽车仪表组显示器
- ADAS 环视系统 ECU
- 车身控制模块和网关