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LM74720QDRRRQ1
具有有源整流和负载突降保护功能的汽车类低 IQ 理想二极管控制器
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- 描述
- LM74720-Q1 具有有源整流和负载突降保护功能的汽车类低 IQ 理想二极管控制器
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- LM74720QDRRRQ1
- 商品编号
- C5219205
- 商品封装
- WSON-12(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.199836克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 理想二极管/ORing控制器 | |
| 输入电压(Vin) | 3V~65V | |
| 反向耐压 | 65V | |
| FET类型 | 外置FET | |
| 通道数 | 2 | |
| 栅极驱动电压 | 13V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 正向压降(Vf) | 17mV | |
| 静态电流(Iq) | 35uA | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 灌电流(IOL) | 2.5A | |
| 功能特性 | 带使能；过压锁定；反向极性保护；反向电流阻断 |
商品概述
LM74720-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器(GATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，实现反向输入保护和输出电压保持功能。具有快速导通和关断比较器的强大升压稳压器可确保在汽车测试（如 ISO16750 或 LV124）期间实现稳健、高效的MOSFET 开关性能，期间 ECU 会收到输入短时中断以及频率高达 100 kHz 的交流叠加输入信号。运行期间的低静态电流 35 µA（最大值）可实现常开型系统设计。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许使用 EN 引脚实现负载断开控制。在 EN 处于低电平时，静态电流降至 3.3 μA（最大值）。该器件具有可调节过压切断保护功能，可提供负载突降保护。
商品特性
- 符合AEC-Q100标准
- 器件温度等级1，环境工作温度范围为 -40℃ 至 +125℃
- 器件HBM ESD分类等级2
- 器件CDM ESD分类等级C4B
- 3V 至 65V 输入范围
- 反向输入保护低至 –65V
- 运行时最大静态电流为 35 µA
- EN = 低电平时，最大关断电流为 3.3 µA
- 17 mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管正常运行
- 可驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
- 集成型 29 mA 升压稳压器
- 快速响应反向电流阻断:0.5 µs
- 支持高达 100 kHz 的有源整流
- 可调节过压保护
- 采用合适的TVS二极管，符合汽车ISO7637瞬态要求
- 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装
应用领域
- 汽车电池保护
- ADAS 域控制器
- 音频放大器
- 音响主机
- 网关