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LM74721QDRRRQ1

具有有源整流特性的无TVS低IQ汽车类反向电池保护理想二极管控制器

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描述: LM74721-Q1 具有有源整流功能的汽车类无 TVS、低 IQ 反向电池保护理想二极管控制器
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: LM74721QDRRRQ1
商品编号: C5219199
商品封装: WSON-12(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 3.6克(g)

商品参数

参数完善中

商品概述

LM74721-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可承受并保护负载免受低至 –33V（直流）负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (GATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持功能。集成的 VDS 钳位功能可实现输入无 TVS 的系统设计，从而在汽车应用中实现符合 ISO7637 标准的脉冲抑制。具有快速导通和关断比较器的强大升压稳压器可确保在汽车测试（如 ISO16750 或 LV124）期间实现稳健、高效的 MOSFET 开关性能，期间 ECU 会收到输入短时中断以及频率高达 100kHz 的交流叠加输入信号。运行期间的低静态电流 35μA（最大值）可实现常开型系统设计。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许使用 EN 引脚实现负载断开控制。在 EN 处于低电平时，静态电流降至 3.3μA（最大值）。该器件具有可调节过压切断保护功能，可提供负载突降保护。

商品特性

具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：器件温度等级 1：-40°C 至 +125°C 环境工作温度范围，器件 HBM ESD 分类等级 2，器件 CDM ESD 分类等级 C4B
3V 至 65V 输入范围
反向输入保护低至 -33V
针对输入的无 TVS 运行集成 VDS 钳位，从而实现符合 ISO7637 标准的脉冲抑制
低静态电流：运行时 35μA（最大值）
3.3μA（最大值）低关断电流（EN = 低电平）
17mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管正常运行
驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
集成型 30mA 升压稳压器
快速响应反向电流阻断：0.5μs
高达 100kHz 的有源整流
可调节过压保护
采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装
与 LM74720-Q1 引脚对引脚兼容

应用领域

汽车电池保护
ADAS 域控制器
摄像头、雷达 ECU
出色的音频放大器
抬头显示
适用于 12V 电池供电汽车类应用的低 IQ、无 TVS 理想二极管