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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

UCC21759QDWRQ1

适用于SiC/IGBT并具有主动保护、隔离式模拟检测和高CMTI的汽车类10A拉电流/灌电流基本隔离式单通道栅极驱动器

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描述
一款电隔离单通道栅极驱动器,旨在于SiCMOSFET和IGBT,工作电压高达900V(直流),具有先进的保护特性、出色的动态性能和稳健性。具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。输入侧通过SiO₂电容隔离技术与输出侧相隔离,支持高达 636Vᵣₘₛ 的工作电压、超过40年的隔离栅寿命、6kVₚₖ 的浪涌抗扰度,并提供较低的器件间偏斜和>150V/ns 的共模噪声抗扰度(CMTI)。包含先进的保护特性,如快速短路检测、故障报告、有源米勒钳位以及针对SiC和IGBT功率晶体管优化的输入和输出侧电源UVLO
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
UCC21759QDWRQ1
商品编号
C5216317
商品封装
SOIC-16-300mil​
包装方式
编带
商品毛重
0.48克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录隔离式栅极驱动器
驱动配置高边;低边
隔离电压(Vrms)3000V
负载类型IGBT;MOSFET
通道数1
输入侧工作电压3V~5.5V
拉电流(IOH)10A
灌电流(IOL)10A
工作温度-40℃~+150℃@(Tj)
属性参数值
上升时间(tr)33ns
下降时间(tf)27ns
传播延迟 tpLH90ns
传播延迟 tpHL90ns
静态电流(Iq)3mA
CMTI(kV/us)150kV/us
驱动侧工作电压13V~33V
功能特性米勒钳位保护;饱和故障检测

商品概述

UCC21759-Q1 是一款适用于 SiC/IGBT 的汽车类电隔离单通道栅极驱动器,可提供 10A 拉电流/灌电流,具有主动保护、隔离式模拟检测和高 CMTI。UCC21759-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器,旨在用于 SiC MOSFET 和 IGBT,工作电压高达 900V(直流),具有先进的保护特性、出色的动态性能和稳健性。UCC21759-Q1 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离,支持高达 636V RMS 的工作电压、超过 40 年的隔离栅寿命、6kV PK 的浪涌抗扰度,并提供较低的器件间偏斜和>150V/ns 的共模噪声抗扰度 (CMTI)。UCC21759-Q1 包含先进的保护特性,如快速短路检测、故障报告、有源米勒钳位以及针对 SiC 和 IGBT功率晶体管优化的输入和输出侧电源 UVLO。可以利用隔离式模拟至 PWM 传感器更轻松地进行温度或电压检测,从而进一步提高驱动器的多功能性并减少系统设计工作量、尺寸和成本。

商品特性

  • 3kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
  • 器件温度等级 1:-40℃ 至 +125℃ 环境工作温度范围
  • 器件 HBM ESD 分类等级 3A
  • 器件 CDM ESD 分类等级 C3
  • 驱动高达 900V pk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大输出驱动电压 (VDD-VEE)
  • 高峰值驱动电流和高 CMTI
  • ±10A 驱动强度和分离输出
  • 150V/ns 最小 CMTI
  • 具有 200ns 快速响应时间的 DESAT 保护
  • 4A 内部有源米勒钳位
  • 在故障条件下提供 400mA 软关断
  • 具有 PWM 输出的隔离式模拟传感器
  • 采用 NTC、PTC 或热敏二极管的温度感应
  • 高电压直流链路或相电压
  • 过流警报 FLT 和通过 RST/EN 重置
  • 针对 RST/EN 的快速启用/禁用响应
  • 抑制输入引脚上的 <40ns 噪声瞬态和脉冲
  • RDY 上的 12V VDD UVLO(具有电源正常指示功能)
  • 具有高达 5V 过冲/欠冲瞬态电压抗扰度的输入/输出
  • 130ns(最大)传播延迟和 30ns(最大)脉冲/器件间偏移
  • SOIC-16 DW 封装,爬电距离和间隙 > 8mm
  • 工作结温范围:-40℃ 至 +150℃
  • 符合 EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准的 4242V PK 基本绝缘

应用领域

  • 适用于 EV 的牵引逆变器
  • 车载充电器和充电桩
  • 用于 HEV/EV 的直流/直流转换器