UCC21759QDWRQ1
UCC21759QDWRQ1
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- 描述
- 一款电隔离单通道栅极驱动器,旨在于SiCMOSFET和IGBT,工作电压高达900V(直流),具有先进的保护特性、出色的动态性能和稳健性。具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。输入侧通过SiO₂电容隔离技术与输出侧相隔离,支持高达 636Vᵣₘₛ 的工作电压、超过40年的隔离栅寿命、6kVₚₖ 的浪涌抗扰度,并提供较低的器件间偏斜和>150V/ns 的共模噪声抗扰度(CMTI)。包含先进的保护特性,如快速短路检测、故障报告、有源米勒钳位以及针对SiC和IGBT功率晶体管优化的输入和输出侧电源UVLO
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- UCC21759QDWRQ1
- 商品编号
- C5216317
- 商品封装
- SOIC-16-300mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 隔离式栅极驱动器 | |
| 隔离电压(Vrms) | 636 | |
| 负载类型 | IGBT;MOSFET | |
| 通道数 | 1 | |
| 输入侧工作电压 | 3V~5.5V | |
| 拉电流(IOH) | 10A | |
| 灌电流(IOL) | 10A | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 33ns | |
| 下降时间(tf) | 27ns | |
| 传播延迟 tpLH | 90ns | |
| 传播延迟 tpHL | 90ns | |
| 静态电流(Iq) | 3mA | |
| CMTI(kV/us) | 150kV/us | |
| 驱动侧工作电压 | 13V~33V |
