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UCC21759QDWRQ1实物图
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UCC21759QDWRQ1

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描述
一款电隔离单通道栅极驱动器,旨在于SiCMOSFET和IGBT,工作电压高达900V(直流),具有先进的保护特性、出色的动态性能和稳健性。具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。输入侧通过SiO₂电容隔离技术与输出侧相隔离,支持高达 636Vᵣₘₛ 的工作电压、超过40年的隔离栅寿命、6kVₚₖ 的浪涌抗扰度,并提供较低的器件间偏斜和>150V/ns 的共模噪声抗扰度(CMTI)。包含先进的保护特性,如快速短路检测、故障报告、有源米勒钳位以及针对SiC和IGBT功率晶体管优化的输入和输出侧电源UVLO
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
UCC21759QDWRQ1
商品编号
C5216317
商品封装
SOIC-16-300mil​
包装方式
编带
商品毛重
0.48克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录隔离式栅极驱动器
隔离电压(Vrms)636
负载类型IGBT;MOSFET
通道数1
输入侧工作电压3V~5.5V
拉电流(IOH)10A
灌电流(IOL)10A
工作温度-40℃~+150℃@(Tj)
属性参数值
上升时间(tr)33ns
下降时间(tf)27ns
传播延迟 tpLH90ns
传播延迟 tpHL90ns
静态电流(Iq)3mA
CMTI(kV/us)150kV/us
驱动侧工作电压13V~33V