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UCC21732DWR

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描述
一款电隔离单通道栅极驱动器,旨在用于SiC MOSFET和IGBT,工作电压高达2121V(直流),具有先进的保护特性、出色的动态性能和稳健性。具有高达±10A的峰值拉电流和灌电流。输入侧通过SiO₂电容隔离技术与输出侧相隔离,支持高达1.5kV_RMS的工作电压、12.8kV_PK的浪涌抗扰度,隔离栅寿命超过40年,并提供较低的器件间偏斜,共模噪声抗扰度(CMTI)大于150V/ns。包括先进的保护特性,如快速过流和短路检测、分流电流检测支持、故障报告、有源米勒钳位、输入和输出侧电源UVLO(用于优化SiC和IGBT开关行为)和稳健性
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
UCC21732DWR
商品编号
C5216328
商品封装
SOIC-16-300mil​
包装方式
编带
商品毛重
0.54克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录隔离式栅极驱动器
隔离电压(Vrms)5700
负载类型IGBT;MOSFET
通道数1
输入侧工作电压3V~5.5V
拉电流(IOH)10A
灌电流(IOL)10A
工作温度-40℃~+150℃@(Tj)
属性参数值
上升时间(tr)33ns
下降时间(tf)27ns
传播延迟 tpLH130ns
传播延迟 tpHL130ns
静态电流(Iq)4mA
CMTI(kV/us)150kV/us
驱动侧工作电压13V~33V