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UCC21739QDWRQ1实物图
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UCC21739QDWRQ1

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描述
是一款电隔离单通道栅极驱动器,旨在用于SiCMOSFET和IGBT,工作电压高达900V(直流),具有先进的保护特性、出色的动态性能和稳健性。具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。输入侧通过SiO₂电容隔离技术与输出侧相隔离,支持高达 636Vᵣₘₛ 的工作电压、6kVₚₖ 的浪涌抗扰度,隔离栅寿命超过40年的基本隔离,并提供较低的器件间偏斜和大于150V/ns的共模噪声抗扰度(CMTI)。具有高级保护功能,如快速过流和短路检测、分流电流检测支持、故障报告、有源米勒钳位以及输入和输出侧电源UVLO(用于优化SiC和IGBT开关行为和稳健性)
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
UCC21739QDWRQ1
商品编号
C5216334
商品封装
SOIC-16-300mil​
包装方式
编带
商品毛重
0.51克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录隔离式栅极驱动器
隔离电压(Vrms)4242
负载类型IGBT;MOSFET
通道数1
输入侧工作电压3V~5.5V
拉电流(IOH)10A
属性参数值
灌电流(IOL)10A
工作温度-40℃~+150℃@(Tj)
传播延迟 tpLH130ns
传播延迟 tpHL130ns
CMTI(kV/us)150kV/us
驱动侧工作电压13V~33V

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(2000个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个2000个/圆盘

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