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UCC21739QDWRQ1
适用于SiC/IGBT的汽车类隔离式单通道栅极驱动器
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- 描述
- 是一款电隔离单通道栅极驱动器，旨在用于SiCMOSFET和IGBT，工作电压高达900V（直流），具有先进的保护特性、出色的动态性能和稳健性。具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。输入侧通过SiO₂电容隔离技术与输出侧相隔离，支持高达 636Vᵣₘₛ 的工作电压、6kVₚₖ 的浪涌抗扰度，隔离栅寿命超过40年的基本隔离，并提供较低的器件间偏斜和大于150V/ns的共模噪声抗扰度(CMTI)。具有高级保护功能，如快速过流和短路检测、分流电流检测支持、故障报告、有源米勒钳位以及输入和输出侧电源UVLO（用于优化SiC和IGBT开关行为和稳健性）
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- UCC21739QDWRQ1
- 商品编号
- C5216334
- 商品封装
- SOIC-16-300mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.51克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 隔离式栅极驱动器 | |
| 驱动配置 | 高边；低边 | |
| 隔离电压(Vrms) | 3000V | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 通道数 | 1 | |
| 输入侧工作电压 | 3V~5.5V | |
| 拉电流(IOH) | 10A | |
| 灌电流(IOL) | 10A | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 33ns | |
| 下降时间(tf) | 27ns | |
| 传播延迟 tpLH | 130ns | |
| 传播延迟 tpHL | 130ns | |
| 静态电流(Iq) | 3mA | |
| CMTI(kV/us) | 150kV/us | |
| 驱动侧工作电压 | 13V~33V | |
| 功能特性 | 米勒钳位保护；饱和故障检测 |
商品概述
UCC21739-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器，旨在用于 SiC MOSFET 和 IGBT，工作电压高达 900V（直流），具有先进的保护特性、出色的动态性能和稳健性。UCC21739-Q1 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离，支持高达 636V RMS 的工作电压、6kV PK 的浪涌抗扰度，隔离栅寿命超过 40 年的基本隔离，并提供较低的器件间偏斜和大于 150V/ns 的共模噪声抗扰度 (CMTI)。UCC21739-Q1 具有高级保护功能，如快速过流和短路检测、分流电流检测支持、故障报告、有源米勒钳位以及输入和输出侧电源 UVLO（用于优化 SiC 和 IGBT 开关行为和稳健性）。可以利用隔离式模拟至 PWM 传感器更轻松地进行温度或电压感测，从而进一步提高驱动器的多功能性并简化系统设计工作量、尺寸和成本。
商品特性
- 3kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器
- 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
- 器件温度等级 1:–40℃ 至 125℃ 环境工作温度范围
- 器件 HBM ESD 分类等级 3A
- 器件 CDM ESD 分类等级 C3
- 适用于高达 900Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
- 33V 最大输出驱动电压 (VDD-VEE)
- ±10A 驱动强度和分离输出
- 150V/ns 最小 CMTI
- 具有 270ns 快速响应时间的过流保护
- 外部有源米勒钳位
- 发生故障时的内部 2 级关断
- 具有 PWM 输出的隔离式模拟传感器
- 支持采用 NTC、PTC 或热敏二极管的温度感应
- 支持高电压直流链路或相电压
- 过流警报 FLT 和通过 RST/EN 重置
- 针对 RST/EN 的快速启用/禁用响应
- 抑制输入引脚上的 <40ns 噪声瞬态和脉冲
- RDY 上的 12V VDD UVLO（具有电源正常指示功能）
- 输入/输出具有高达 5V 的过冲/欠冲瞬态电压抗扰度
- 130ns（最大）传播延迟和 30ns（最大）脉冲/器件间偏移
- SOIC-16 DW 封装，爬电距离和间隙 > 8mm
- 工作结温范围:- 40℃ 至 + 150℃
- 安全相关认证:4242V PK 隔离，符合 DIN EN IEC 60747-17(VDE 0884-17) 标准
应用领域
- EV 牵引逆变器
- 车载充电器和充电桩
- HEV/EV 直流/直流转换器