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UCC21710QDWRQ1
UCC21710QDWRQ1
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- 描述
- 是一款电隔离单通道栅极驱动器，设计用于高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT，具有先进的保护功能、出色的动态性能和稳健性。输入侧通过 SiO₂ 电容隔离技术与输出侧相隔离，支持高达 1.5kV_RMS 的工作电压、12.8kV_PK 的浪涌抗扰度，隔离层寿命超过 40 年，并提供较低的器件间偏移和高 CMTI。
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- UCC21710QDWRQ1
- 商品编号
- C5216340
- 商品封装
- SOIC-16-300mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.498571克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 隔离式栅极驱动器 | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 通道数 | 1 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+125℃@(Ta) | |
| 驱动侧工作电压 | 33V |
商品概述
UCC21710-Q1是一款电隔离单通道栅极驱动器，设计用于高达1700V的SiC MOSFET和IGBT，具有先进的保护功能、出色的动态性能和稳健性。 输入侧通过SiO₂电容隔离技术与输出侧相隔离，支持高达1.5kV RMS的工作电压、12.8kV PK的浪涌抗扰度，隔离层寿命超过40年，并提供较低的器件间偏移和高CMTI。
商品特性
- 单通道SiC/IGBT隔离式栅极驱动器
- 具有符合面向汽车标准（计划的认证）
- 高达1700V的SiC MOSFET和IGBT
- 33V最大输出驱动电压(VDD - COM)
- 高峰值驱动电流和高CMTI
- 有源米勒钳位
- RDY上的UVLO（具有电源正常指示功能）
- 较短传播延迟和较小脉冲/器件间偏移
- 工作温度范围：-40°C至125°C
- 安全相关认证（计划）：
- 符合DIN V VDE V 0884 - 11 (VDE V 0884 - 11):2017 - 01标准的8000V PK V₁₀TM和2121V₁₀RM增强型隔离
- 符合UL1577标准、长达1分钟的5700VRMS隔离
应用领域
- 适用于EV的牵引逆变器
- 车载充电器和直流充电站
- 工业电机驱动
- 服务器、电信和工业电源
- 不间断电源(UPS)