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UCC21710DWR

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描述: UCC21710是一款单通道电气隔离式栅极驱动器，旨在驱动耐压高达1700V的碳化硅（SiC）MOSFET和IGBT。它具备先进的集成保护功能、一流的动态性能和高可靠性。UCC21710的源极和灌极峰值电流最高可达±10A。输入侧与输出侧采用二氧化硅（SiO₂）电容隔离技术进行隔离，支持最高1.5kV RMS的工作电压，隔离栅寿命超过40年，具备12.8kVₚₖ的浪涌抗扰度，同时具有低的器件间偏差和大于150V/ns的共模噪声抗扰度（CMTI）。UCC21710具备先进的保护特性，如快速过流和短路检测、支持分流电流检测、故障报告、有源密勒钳位，以及输入和输出侧电源欠压锁定（UVLO）功能，可优化SiC和IGBT的开关性能和可靠性。隔离式模拟转PWM传感器可用于更便捷的温度或电压检测，进一步提升驱动器的通用性，简化系统设计、减小尺寸并降低成本。
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: UCC21710DWR
商品编号: C5216326
商品封装: SOIC-16-300mil
包装方式: 编带
商品毛重: 0.608114克(g)

商品参数

商品概述

UCC21710是一款单通道电气隔离式栅极驱动器，旨在驱动耐压高达1700V的碳化硅（SiC）MOSFET和IGBT。它具备先进的集成保护功能、一流的动态性能和高可靠性。UCC21710的源极和灌极峰值电流最高可达±10A。输入侧与输出侧采用二氧化硅（SiO₂）电容隔离技术进行隔离，支持最高1.5kV RMS的工作电压，隔离栅寿命超过40年，具备12.8kVₚₖ的浪涌抗扰度，同时具有低的器件间偏差和大于150V/ns的共模噪声抗扰度（CMTI）。 UCC21710具备先进的保护特性，如快速过流和短路检测、支持分流电流检测、故障报告、有源密勒钳位，以及输入和输出侧电源欠压锁定（UVLO）功能，可优化SiC和IGBT的开关性能和可靠性。隔离式模拟转PWM传感器可用于更便捷的温度或电压检测，进一步提升驱动器的通用性，简化系统设计、减小尺寸并降低成本。

商品特性

5.7kVᵣₘₛ单通道隔离式栅极驱动器
可驱动峰值电压高达2121Vₚₖ的SiC MOSFET和IGBT
最大输出驱动电压（VDD - VEE）为33V
驱动能力为±10A，采用分离式输出
最小共模瞬态抗扰度（CMTI）为150V/ns
内置4A有源密勒钳位
故障状态下400mA软关断
带PWM输出的隔离式模拟传感器，可通过NTC、PTC或热敏二极管进行温度检测，以及检测高压直流母线或相电压
过流时发出告警信号FLT，可通过RST/EN引脚复位
RST/EN引脚实现快速使能/禁用响应
可抑制输入引脚小于40ns的噪声瞬变和脉冲
12V VDD欠压锁定，RDY引脚指示电源正常
输入/输出具备最高5V的过冲/欠冲瞬态电压抗扰度
最大传播延迟为130ns，最大脉冲/器件偏差为30ns
采用SOIC - 16 DW封装，爬电距离和电气间隙大于8mm
工作结温范围为 - 40℃至150℃

应用领域

工业电机驱动器
服务器、电信和工业电源
不间断电源（UPS）
太阳能逆变器
可再生能源存储转换器

优惠活动

购买数量

(2000个/圆盘，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个2000个/圆盘

总价金额：

￥ 0.00

近期成交4单

	属性	参数值
	商品目录	隔离式栅极驱动器
	驱动配置	-
	隔离电压(Vrms)	5700
	负载类型	IGBT；MOSFET
	通道数	1
	输入侧工作电压	3V~5.5V
	拉电流(IOH)	10A
	灌电流(IOL)	10A

	属性	参数值
	工作温度	-40℃~+125℃
	上升时间(tr)	33ns
	下降时间(tf)	27ns
	传播延迟 tpLH	130ns
	传播延迟 tpHL	130ns
	静态电流(Iq)	4mA
	CMTI(kV/us)	150kV/us
	驱动侧工作电压	13V~33V