NVMFS4C308NT1G

1个N沟道耐压:30V 电流:17.2A 电流:55A

品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NVMFS4C308NT1G
商品编号: C5208938
商品封装: SO-8FL
包装方式: 编带
商品毛重: 0.171克(g)

商品参数

商品概述

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET非常适合用于各种需要小型化和更高效率的电源系统。SUPERFET III FRFET MOSFET的体二极管经过优化，具有出色的反向恢复性能，可省去额外元件并提高系统可靠性。此外，D2PAK 7引脚封装提供了开尔文检测功能。这使得开关速度更快，并让设计人员能够减小整体应用的占用空间。

商品特性

低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
低电容,以最小化驱动损耗
优化的栅极电荷,以最小化开关损耗
通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
NVMFS4C308NWF - 可选可焊侧翼封装,便于光学检测
这些器件为无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR)产品,符合RoHS标准

应用领域

反接电池保护
直流-直流转换器输出驱动

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	55A；17.2A
	导通电阻(RDS(on))	4.8mΩ

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	3W；30.6W
	阈值电压(Vgs(th))	2.1V
	栅极电荷量(Qg)	18.2nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.67nF
	工作温度	-55℃~+175℃