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CMD40N20
1个N沟道 耐压:200V 电流:40A
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- 描述
- 40N20采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合PWM、负载开关和通用应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD40N20
- 商品编号
- C5203928
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 135W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CMH044N10采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在提供出色的RDS(ON)。这些器件非常适合高效开关模式电源和有源功率因数校正。
商品特性
- VDS = 100V，ID = 180A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) = 4.5mΩ
- 低导通电阻
- 快速开关
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流-交流转换器
- 开关模式电源
- 不间断电源（UPS）