CMD045N15
1个N沟道 耐压:150V 电流:40A
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- 描述
- 045N15采用先进的沟槽技术和设计,可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于消费电子、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD045N15
- 商品编号
- C5203917
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 140W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 112pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
该MOSFET采用先进的加工技术,实现了极低的单位硅片面积导通电阻。这一优势,结合快速开关速度和耐用的器件设计,为设计师提供了一种极其高效可靠的器件,可广泛应用于各种领域。
商品特性
- 先进工艺技术,快速开关
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- PWM电机控制-LED电视-DC-DC转换器
