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CMB5970
1个P沟道 耐压:150V 电流:30A
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- 描述
- CMB5970 采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷，适用于各种应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMB5970
- 商品编号
- C5203727
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.69克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@4.5V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 200W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.6nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻（RDS(on)）沟槽技术
- 低热阻
- 快速开关速度
- 我们声明产品材料符合 RoHS 要求且无卤。
- S 前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。
应用领域
- 功率路由-直流-直流转换-电机驱动