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CMU5950A
1个P沟道 耐压:100V 电流:33A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术和设计，提供低栅极电荷的出色导通电阻。可用于各种应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMU5950A
- 商品编号
- C5203731
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.63克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@20A | |
| 输入电容(Ciss) | 6.6nF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 270pF |
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