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CMD4003B
1个P沟道 耐压:40V 电流:12A
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- 描述
- 4003B采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)。该器件非常适合大电流应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD4003B
- 商品编号
- C5203751
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 400pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
IRF5803B采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于电池和负载管理应用。
商品特性
- P沟道MOSFET
- 快速开关
- 低导通电阻
- 100%保证耐雪崩能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器
- 逆变器
- 电源