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CMD5951
1个P沟道 耐压:100V 电流:30A
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- 描述
- 5951采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于各种应用场景。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD5951
- 商品编号
- C5203733
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 5.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 47pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 157pF |
商品概述
CMSA5950A采用先进技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于开关电源、负载开关和通用应用中的低端场效应晶体管。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 小尺寸封装（5x6 mm），便于紧凑设计
- 符合RoHS标准
应用领域
- 负载开关
- 笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理