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CMP5940B
1个P沟道 耐压:100V 电流:25A
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- 描述
- CMP5940B采用先进的沟槽技术和设计，具备出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。它可应用于多种领域。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP5940B
- 商品编号
- C5203734
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.66克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@4.5V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 55W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.9nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
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