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CMS5006B
1个P沟道 耐压:60V 电流:4A
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- 描述
- CMS5006B采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMS5006B
- 商品编号
- C5203744
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 79mΩ@4.5V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 43pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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