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CMP70P06
1个P沟道 耐压:60V 电流:70A
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- 描述
- 70P06采用先进的沟槽技术和设计，可实现出色的RDS(ON)。它可用于各种应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP70P06
- 商品编号
- C5203740
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 130W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 89nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.8nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 281pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
70P06采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)，适用于多种应用场景。
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 更低的导通电阻
- 符合RoHS标准
- P沟道增强型MOSFET
应用领域
- 逆变器
- 电机驱动
- DC / DC转换器