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CMD5950A
1个P沟道 耐压:100V 电流:33A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术和设计，提供低栅极电荷的出色导通电阻。可用于各种应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD5950A
- 商品编号
- C5203732
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- P沟道
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 逆变器
- 电机驱动
- DC/DC转换器