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CMP5950A
1个P沟道 耐压:100V 电流:35A
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- 描述
- 5950A采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下仍能提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP5950A
- 商品编号
- C5203729
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC | |
| 输入电容(Ciss) | 7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用了东微半导体（Truesemi）先进的平面条形DMOS技术制造。该先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 18A、200V，在VGS = 10V时，最大RDS(on) = 0.17 Ω
- 低栅极电荷（典型值22nC）
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%经过雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 高效开关模式电源
- 基于半桥拓扑的有源功率因数校正