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STB8NM60T4
1个N沟道 耐压:650V 电流:5A
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- 描述
- MDmesh™ 是一种全新的革命性功率 MOSFET 技术，它将多漏极工艺与 PowerMESH™ 横向布局相结合。由此生产的产品具有出色的低导通电阻、令人瞩目的高 dv/dt 以及优异的雪崩特性。采用专利条形技术后，整体动态性能明显优于同类竞品
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB8NM60T4
- 商品编号
- C5199069
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V,2.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@400V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款超高电压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于创新专有垂直结构的 MDmesh K5 技术设计。其成果是显著降低导通电阻，并实现超低栅极电荷，适用于对功率密度和效率要求极高的应用。
商品特性
- 业界最低的 RDS(on) x 面积
- 业界最佳的品质因数 (FoM)
- 超低栅极电荷
- 100% 雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用