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STP10N60M2
STP10N60M2
- 描述
- N沟道600 V、0.55 Ohm典型值、7.5 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP10N60M2
- 商品编号
- C5199080
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 550mΩ@10V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 85W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.84pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 60V/5A
- 可靠耐用
- 提供无铅环保器件（符合RoHS标准）
应用领域
- DC-DC转换器
- 负载开关
- 电源管理
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