STW68N60M6
STW68N60M6
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- N沟道600 V、35 mOhm典型值、63 A MDmesh M6功率MOSFET，TO-247封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW68N60M6
- 商品编号
- C5199084
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 63A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 390W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 106nC@480V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.36nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
全新的MDmeshTM M6技术融合了最新的改进成果,应用于广为人知且成熟的SJ MOSFET MDmesh系列产品。 它将出色的单位面积导通电阻(RDS(on))改善与高效的开关性能相结合,为用户带来便捷体验,实现终端应用的最高效率。
商品特性
- 降低开关损耗
- 相较于上一代产品,单位面积导通电阻(RDS(on))更低
- 栅极输入电阻低
- 经过100%雪崩测试
- 具备齐纳保护
应用领域
- 开关应用
- LLC转换器
- 升压PFC转换器