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STW68N60M6
STW68N60M6
- 描述
- N沟道600 V、35 mOhm典型值、63 A MDmesh M6功率MOSFET，TO-247封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW68N60M6
- 商品编号
- C5199084
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.558克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 63A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@10V,31.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 390W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 106nC@480V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.36nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件是一款采用具有新型沟槽栅极结构的STripFET™ H6技术开发的N沟道功率MOSFET。由此制成的功率MOSFET在所有封装中均呈现极低的导通电阻RDS(on)。
商品特性
- 极低的导通电阻
- 极低的栅极电荷
- 高雪崩耐量
- 低栅极驱动功率损耗
应用领域
- 开关应用