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STP4N80K5
耐压:800V 电流:3A
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- 描述
- N沟道800 V、2.1 Ohm典型值、3 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-220封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP4N80K5
- 商品编号
- C5199081
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V,1.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.5nC@640V | |
| 输入电容(Ciss) | 175pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.5pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
超结功率MOSFET是一项用于高压功率MOSFET的革命性技术，它是根据超结（SJ）原理设计的。多外延SJ MOSFET提供了一种开关、通信和传导损耗极低的器件，其高鲁棒性使谐振开关应用尤其可靠、高效、轻便且散热良好。
商品特性
- 极低的品质因数（导通状态下漏源电阻×栅极电荷）
- 经过100%雪崩测试
- 易于使用/驱动
- 符合RoHS标准
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