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STGYA75H120DF2
1.2kV 75A
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- 描述
- 1200 V、75 A高速沟槽栅场截止HB2系列IGBT，TO-247长引线封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGYA75H120DF2
- 商品编号
- C5199075
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 12.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 75A | |
| 耗散功率(Pd) | 750W | |
| 输出电容(Coes) | 420pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 300A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.6V@75A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@2mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 6.3nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 61ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 366ns | |
| 导通损耗(Eon) | 4.3mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 3.9mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 356ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 146pF |