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STGYA75H120DF2
1.2kV 75A
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- 描述
- 1200 V、75 A高速沟槽栅场截止HB2系列IGBT，TO-247长引线封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGYA75H120DF2
- 商品编号
- C5199075
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 12.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 750W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 75A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 300A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.6V@75A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@2mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 313nC@960V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 6.3nF | |
| 输出电容(Coes) | 420pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 146pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 61ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 366ns | |
| 导通损耗(Eon) | 4.3mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 3.9mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 356ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
该器件是型号为STGYA75H120DF2的IGBT，采用先进专有沟槽栅场截止结构开发。它属于H系列IGBT，该系列在导通损耗和开关损耗之间实现了平衡，以最大限度提高高开关频率转换器的效率。此外，略微正的V_CE(sat)温度系数和非常紧密的参数分布使并联操作更安全。
商品特性
- 最高结温：T_J =175℃
- 短路耐受时间：5μs
- 饱和压降V_CE(sat)：2.1V（典型值），在集电极电流Ic=75A时
- 参数分布紧密
- V_CE(sat)温度系数为正
- 热阻低
- 反并联二极管恢复速度极快
应用领域
- UPS
- 太阳能逆变器
- 焊接设备
- 功率因数校正（PFC）