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MS60N50HGC0

Maspower MS60N50HGC0 N沟道MOSFET 500V 60A 108mΩ TO-247

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描述
MS60N50HGC0 N沟道MOSFET 500V 60A 108mΩ TO-247。低 Rds、低电感、雪崩测试,适用于开关电源、DC-DC、电机驱动、机器人。
商品型号
MS60N50HGC0
商品编号
C55042311
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
8.386667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))108mΩ@10V
耗散功率(Pd)297W
阈值电压(Vgs(th))3.8V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)110nC
输入电容(Ciss)6.3nF
反向传输电容(Crss)65pF
类型N沟道
输出电容(Coss)840pF
栅极电压(Vgs)±20V

数据手册PDF