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MS3NH170HGE0

Maspower MS3NH170HGE0 耗尽型N沟道 超高压MOSFET 1700V 3A TO-263 6Ω

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描述
MS3NH170HGE0 耗尽型N沟道 MOSFET 1700V 3A TO-263 6Ω。超高压、低损耗、雪崩测试、高速,适用于负载、音频放大、启动电路、电流调节器。
商品型号
MS3NH170HGE0
商品编号
C55042366
商品封装
TO-263​
包装方式
编带
商品毛重
2.785克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.7kV
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on))6Ω@0V
耗散功率(Pd)290W
栅极电荷量(Qg)45nC
属性参数值
输入电容(Ciss)1.35nF
反向传输电容(Crss)14pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)110pF
栅极电压(Vgs)±20V

数据手册PDF