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MS30N150HGB3
Maspower MS30N150HGB3 N 沟道 MOSFET 1500V 30A 659mΩ TO-264
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- 描述
- MS30N150HGB3 N 沟道 MOSFET 1500V 30A 659mΩ TO-264。超高压、低阻、雪崩测试、高浪涌，低反向传输电容、低栅电荷，改进dv/dt，适用于高效SMPS、电子镇流器、UPS。
- 品牌名称
- MASPOWER(麦思浦)
- 商品型号
- MS30N150HGB3
- 商品编号
- C55042365
- 商品封装
- TO-264
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 13.052克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.5kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 659mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 101nC | |
| 输入电容(Ciss) | 8.12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -45℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 345pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |