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MS170P10HGF4实物图
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MS170P10HGF4

Maspower MS170P10HGF4 P沟道MOSFET  -100V/-170A SOT-227 ≤14mΩ低导通

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描述
MS170P10HGF4,P沟道MOSFET  -100V/-170A  ≤14mΩ低导通 SOT-227。低阻大电流、雪崩测试、高速开关,适用于DC斩波、推挽放大器、电池充电器、自动化测试设备。
商品型号
MS170P10HGF4
商品编号
C55042358
商品封装
SOT-227​
包装方式
管装
商品毛重
41.383333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)170A
导通电阻(RDS(on))14mΩ@10V
耗散功率(Pd)890W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)240nC
输入电容(Ciss)12.6nF
反向传输电容(Crss)930pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)4.19nF
栅极电压(Vgs)±20V

数据手册PDF