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MS11N80HCT1实物图
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MS11N80HCT1

Maspower MS11N80HCT1 超级结N沟道 MOSFET 800V 11A 0.58Ω TO-220F

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描述
MS11N80HCT1 超级结N沟道 MOSFET 800V 11A 0.58Ω TO-220F。低栅荷、超快开关、雪崩测试、低损耗,适 PFC、SMPS、UPS、适配器。
商品型号
MS11N80HCT1
商品编号
C55042362
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.888克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)11A
导通电阻(RDS(on))580mΩ@10V
耗散功率(Pd)31W
阈值电压(Vgs(th))3.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)21.4nC
输入电容(Ciss)870pF
反向传输电容(Crss)0.8pF
类型N沟道
输出电容(Coss)28pF
栅极电压(Vgs)±20V

数据手册PDF